首尔,韩国——2015年11月26日,三星电子有限公司今天宣布,它是质量生产行业首个“通过硅通过”(TSV)双数据为4(DDR4)内存128 - g(GB)模块,为企业服务器和数据中心。

三星推出的堪称世界第一后3 d TSV DDR4 DRAM(64 gb)在2014年,该公司的新TSV注册双重内联内存模块(RDIMM)标志着另一个突破,打开车门企业级的超高容量的内存。 三星新TSV DRAM模块拥有最大的能力和能源效率最高的DRAM模块今天,而高速操作和展示良好的可靠性。

“我们很高兴我们批量生产的高速度、低功耗128 gb TSV DRAM模块将使我们的全球客户和合作伙伴推出新一代的企业解决方案,大大提高效率和可伸缩性的投资,”崔Joo太阳说道,执行副总裁,内存销售和市场,三星电子。 “我们将继续扩大我们的技术合作与全球领导人在服务器、消费电子产品和新兴市场,消费者可以受益于创新技术,提高他们的工作效率和整体的用户体验。”

128 Gb的TSV DDR4 RDIMM由144 DDR4芯片,安排到36个4 Gb DRAM包,包含四个20-nanometer(nm)的8-gigabit(Gb)芯片组装和尖端TSV包装技术。

传统互连芯片包死栈使用钢丝粘合,而在TSV包,芯片模具地面到几十微米,穿与数以百计的细孔和垂直连接通过电极穿过孔,允许显著提高信号传输。 除了利用行业的最高容量和TSV先进电路,三星的128 gb TSV DDR4模块有一个特殊的设计到每个4 gb包的主芯片嵌入数据缓冲区函数优化模块的性能和功耗。

因此,三星先进128 gb TSV DDR4 RDIMM为下一代服务器提供了一个低功耗的解决方案与速度高达每秒2400比特(Mbps),实现近两倍的性能,同时降低用电50%,相比使用之前的最高能力─64 gb LRDIMMs DRAM模块,四芯片包栈的力量和速度受到限制的使用造成的传统线结合。

三星是应对不断增长的需求为超高容量DRAM加速生产的TSV技术市场并迅速增加20 nm 8 gb DRAM芯片以提高生产效率。 在巩固其高端内存解决方案的技术领导和扩大市场,该公司计划提供新的高性能的完整阵容TSV DRAM模块在未来几周包括128 gb的负载降低dimm(LRDIMMs)。

此外,三星将继续保持其技术领导通过引入TSV DRAM和更高的性能。 这些将包括模块的数据传输速度高达2667 mbps和3200 mbps,有助于满足强化企业服务器的需求,同时扩大TSV应用到高带宽内存(HBM)和消费产品。