Hotline:
HOME > Products> SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3TR-ND

Part Number :
SI2301CDS-T1-GE3
Manufacturer :
Intro :
-
PDF :
PDF
Stock :
78000 
Unit price :
No price.
Quantity : Enquiry
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 405pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 10nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 1.6W
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 3.1A
系列 TrenchFET®
No reviews.
You can share your idea with other users ( No less than 5 characters )
You will comment as tourist, if you are a member, you can [ Sign in ]  [ Join now ]
收缩