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SI2302CDS-T1-E3DKR-ND

Part Number :
SI2302CDS-T1-E3
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Intro :
-
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Stock :
10401 
Unit price :
No price.
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FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 5.5nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 710mW
包装 Digi-Reel®可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 2.6A
系列 TrenchFET®
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