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SI2303CDS-T1-GE3CT-ND

Part Number :
SI2303CDS-T1-GE3
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Intro :
-
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Stock :
14250 
Unit price :
No price.
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 155pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 8nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 1.9A,10V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 2.3W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 2.7A
系列 -
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