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TN0200K-T1-E3CT-ND

Part Number :
TN0200K-T1-E3
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Intro :
-
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Stock :
20874 
Unit price :
No price.
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FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 350mW
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 730mA
系列 TrenchFET®
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