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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 445pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 47 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 功率 - 最大值 | 1.9W |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.9A |
| 系列 | TrenchMOS™ |
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