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BSC196N10NS GDKR-ND

Part Number :
BSC196N10NS G
Manufacturer :
Intro :
-
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Stock :
4584 
Unit price :
No price.
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 42µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2300pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 34nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 19.6 毫欧 @ 45A,10V
供应商器件封装 PG-TDSON-8
功率 - 最大值 78W
包装 Digi-Reel®可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 45A
系列 OptiMOS™
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