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IPW65R041CFD-ND

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IPW65R041CFD
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-
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18 
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 3.3mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 8400pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 300nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 41 毫欧 @ 33.1A,10V
供应商器件封装 *
功率 - 最大值 500W
包装 管件
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 68.5A
系列 CoolMOS™
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