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SI3475DV-T1-E3TR-ND

Part Number :
SI3475DV-T1-E3
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Intro :
-
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8000 
Unit price :
No price.
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 500pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 18nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.61 欧姆 @ 900mA,10V
供应商器件封装 6-TSOP
功率 - 最大值 3.2W
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 950mA
系列 TrenchFET®
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