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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7676pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 224nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 16 毫欧 @ 37A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大值 | 143W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 56A |
| 系列 | HEXFET® |
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