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| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 405pF @ 6V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 70 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3A |
| 系列 | * |
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