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SPB11N60S5INCT-ND

Part Number :
SPB11N60S5
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-
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8000 
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No price.
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 500µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1460pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 54nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 7A,10V
供应商器件封装 PG-TO263-3
功率 - 最大值 125W
包装 剪切带 (CT)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 11A
系列 CoolMOS™
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