Hotline:
HOME > Products> BSP149 L6327

BSP149L6327INDKR-ND

Part Number :
BSP149 L6327
Manufacturer :
Intro :
-
PDF :
PDF
Stock :
8000 
Unit price :
No price.
Quantity : Enquiry

Recently Viewed

FET 功能 耗尽模式
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 400µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 430pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 14nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.8 欧姆 @ 660mA,10V
供应商器件封装 PG-SOT223-4
功率 - 最大值 1.8W
包装 Digi-Reel®
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
漏源极电压 (Vdss) 200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 660mA
系列 SIPMOS®
No reviews.
You can share your idea with other users ( No less than 5 characters )
You will comment as tourist, if you are a member, you can [ Sign in ]  [ Join now ]
收缩