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| FET 功能 | 耗尽模式 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 8µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 28pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 500 欧姆 @ 16mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21mA |
| 系列 | SIPMOS® |
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