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IPS118N10N G-ND

Part Number :
IPS118N10N G
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-
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8000 
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No price.
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 4320pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 65nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 11.8 毫欧 @ 75A,10V
供应商器件封装 PG-TO251-3
功率 - 最大值 125W
包装 管件
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 75A
系列 OptiMOS™
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