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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 19pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 8 欧姆 @ 170mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 功率 - 最大值 | 360mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 170mA |
| 系列 | SIPMOS® |
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