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SIHD5N50D-GE3DKR-ND

Part Number :
SIHD5N50D-GE3
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Intro :
-
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Stock :
8000 
Unit price :
No price.
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 325pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 20nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
供应商器件封装 TO-252AA
功率 - 最大值 104W
包装 管件可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压 (Vdss) 500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 5.3A
系列 -
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