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BSP135 L6433TR-ND

Part Number :
BSP135 L6433
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-
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8000 
Unit price :
No price.
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FET 功能 耗尽模式
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 94µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 146pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 4.9nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 45 欧姆 @ 120mA,10V
供应商器件封装 PG-SOT223-4
功率 - 最大值 1.8W
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
漏源极电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 120mA
系列 SIPMOS®
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