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IPD053N06N3 GCT-ND

Part Number :
IPD053N06N3 G
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Intro :
-
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Stock :
8000 
Unit price :
No price.
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 58µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6600pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 82nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.3 毫欧 @ 90A,10V
供应商器件封装 PG-TO252-3
功率 - 最大值 115W
包装 剪切带 (CT)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压 (Vdss) 60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 90A
系列 OptiMOS™
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