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SI1967DH-T1-GE3CT-ND

Part Number :
SI1967DH-T1-GE3
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Intro :
-
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Stock :
9390 
Unit price :
No price.
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 110pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 4nC @ 8V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 490 毫欧 @ 910mA,4.5V
供应商器件封装 SC-70-6
功率 - 最大值 1.25W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 1.3A
系列 TrenchFET®
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