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SI5513CDC-T1-GE3TR-ND

Part Number :
SI5513CDC-T1-GE3
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Intro :
-
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6000 
Unit price :
No price.
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 285pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 4.2nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 4.4A,4.5V
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
功率 - 最大值 3.1W
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 4A,3.7A
系列 TrenchFET®
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