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SI4599DY-T1-GE3CT-ND

Part Number :
SI4599DY-T1-GE3
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Intro :
-
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3632 
Unit price :
No price.
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 640pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 20nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 35.5 毫欧 @ 5A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 3W,3.1W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 6.8A,5.8A
系列 TrenchFET®
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