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SI5517DU-T1-GE3DKR-ND

Part Number :
SI5517DU-T1-GE3
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Intro :
-
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Stock :
48797 
Unit price :
No price.
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 520pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 16nC @ 8V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 39 毫欧 @ 4.4A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® ChipFet 双
功率 - 最大值 8.3W
包装 Digi-Reel®可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® CHIPFET™ 双
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 6A
系列 TrenchFET®
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