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SI4925BDY-T1-E3TR-ND

Part Number :
SI4925BDY-T1-E3
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Intro :
-
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Stock :
35000 
Unit price :
No price.
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 50nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7.1A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 1.1W
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 5.3A
系列 TrenchFET®
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