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SI4943BDY-T1-E3CT-ND

Part Number :
SI4943BDY-T1-E3
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-
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6648 
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 25nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 8.4A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 1.1W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 6.3A
系列 TrenchFET®
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