Hotline:
HOME > Products> US6M2TR

US6M2CT-ND

Part Number :
US6M2TR
Manufacturer :
Intro :
-
PDF :
PDF
Stock :
16016 
Unit price :
No price.
Quantity : Enquiry

Recently Viewed

FET 功能 标准
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 80pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 2.2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 240 毫欧 @ 1.5A,4.5V
供应商器件封装 TUMT6
功率 - 最大值 1W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
漏源极电压 (Vdss) 30V,20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 1.5A,1A
系列 -
No reviews.
You can share your idea with other users ( No less than 5 characters )
You will comment as tourist, if you are a member, you can [ Sign in ]  [ Join now ]
收缩