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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 920pF @ 12.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 9.6 毫欧 @ 14A，8V |
| 供应商器件封装 | 8-SON（3.3x3.3） |
| 功率 - 最大值 | 6W |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-LDFN |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 20A |
| 系列 | NexFET™ |
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