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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 200pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6.2 欧姆 @ 185mA，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 370mA |
| 系列 | QFET™ |
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