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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）配对 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 20mV @ 20µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 30pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 14 欧姆 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 79mA， 85µA |
| 系列 | EPAD® |
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