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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 250mA |
| 系列 | - |
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