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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2200pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 360 毫欧 @ 11.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PB |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 包装 | 托盘 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 23A |
| 系列 | - |
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