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GT10G131(TE12L,Q)-ND

Current - Collector Pulsed (Icm)	200A
Gate Charge	-
IGBT 类型	-
Switching Energy	-
Td (on/off) A 25°C	3.1µs/2.0µs
Test Condition	-
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)	2.3V @ 4V @ 200A
供应商器件封装	8-SOP（5.5x6.0）
功率 - 最大值	1W
包装	带卷 (TR)
反向恢复时间 (trr)	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
电压 - 集射极击穿（最大值）	400V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	-
系列	-
输入类型	标准

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