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IXGQ35N120BD1-ND

Current - Collector Pulsed (Icm)	200A
Gate Charge	140nC
IGBT 类型	-
Switching Energy	900µJ（开），3.8mJ（关）
Td (on/off) A 25°C	40ns/270ns
Test Condition	-
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)	3.3V @ 15V，35A
供应商器件封装	TO-3P
功率 - 最大值	400W
包装	管件
反向恢复时间 (trr)	40ns
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
电压 - 集射极击穿（最大值）	1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	75A
系列	-
输入类型	标准

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