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| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
|---|---|
| Gate Charge | 155nC |
| IGBT 类型 | - |
| Switching Energy | 2.8mJ（关） |
| Td (on/off) A 25°C | 25ns/230ns |
| Test Condition | - |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 6V @ 15V，21A |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率 - 最大值 | 350W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间 (trr) | 330ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 42A |
| 系列 | BIMOSFET™ |
| 输入类型 | 标准 |
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