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| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
|---|---|
| Gate Charge | * |
| IGBT 类型 | - |
| Switching Energy | * |
| Td (on/off) A 25°C | * |
| Test Condition | * |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间 (trr) | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 3000V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | * |
| 系列 | BIMOSFET™ |
| 输入类型 | 标准 |
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