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RJH1CM6DPQ-E0#T2-ND

Current - Collector Pulsed (Icm)	80A
Gate Charge	100nC
IGBT 类型	-
Switching Energy	1.8mJ （开）， 900µJ （关）
Td (on/off) A 25°C	45ns/120ns
Test Condition	600V，20A，5 欧姆，15V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)	2.8V @ 15V， 40A
供应商器件封装	*
功率 - 最大值	297.6W
包装	*
反向恢复时间 (trr)	180ns
安装类型	*
封装/外壳	*
电压 - 集射极击穿（最大值）	1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	40A
系列	-
输入类型	标准

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