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| FET 类型 | P 沟道 |
|---|---|
| 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） | 3V @ 10nA |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 7mA @ 15V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 8pF @ 10V（VGS） |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏极电流 (Id) - 最大值 | - |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻 - RDS（开） | 125 欧姆 |
| 系列 | - |
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