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MMBF5457LT1GOSTR-ND

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MMBF5457LT1G
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-
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8000 
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No price.
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FET 类型 N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 500mV @ 10nA
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) 1mA @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 7pF @ 15V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 225mW
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏极电流 (Id) - 最大值 -
漏源极电压 (Vdss) 25V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 25V
电阻 - RDS(开) -
系列 -
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