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NE85633-T1B-R25-ACT-ND
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- NE85633-T1B-R25-A
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| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
|---|---|
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 系列 | - |
| 频率 - 跃迁 | 7GHz |
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