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MMBT918LT1GOSTR-ND
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- MMBT918LT1G
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| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 3mA，1V |
|---|---|
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 6dB @ 60MHz |
| 增益 | 11dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA |
| 系列 | - |
| 频率 - 跃迁 | 600MHz |
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