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| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 35mA，8V |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 35 micro-X |
| 功率 - 最大值 | 600mW |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
| 增益 | 10dB ~ 13.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD（35 micro-X） |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80mA |
| 系列 | - |
| 频率 - 跃迁 | 8GHz |
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