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| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
|---|---|
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 系列 | - |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
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