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| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.1V @ 200µA，200mA |
|---|---|
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 10000 @ 200mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 55V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA |
| 系列 | - |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
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