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| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA / 300mV @ 10mA，100mA |
|---|---|
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 5mA，10V / 150 @ 2mA，10V |
| 供应商器件封装 | MINI6-G1 |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 晶体管类型 | 1 PNP 预偏压式，1 NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA，100µA |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 4.7k |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | - |
| 系列 | - |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz，80MHz |
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