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SI2304BDS-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SI2304BDS-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
PDF :
PDF
库存 :
46784 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 225pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 4nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 2.5A,10V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 750mW
包装 Digi-Reel®可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 2.6A
系列 -
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