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SI1305DL-T1-E3DKR-ND

型号 :
SI1305DL-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3
PDF :
PDF
库存 :
7515 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 450mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 4nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 1A,4.5V
供应商器件封装 SC-70-3
功率 - 最大值 290mW
包装 Digi-Reel®可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
漏源极电压 (Vdss) 8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 860mA
系列 TrenchFET®
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