服务热线:0755-25559991
网站首页 > 产品> SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SI7621DN-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
PDF :
PDF
库存 :
3000 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 300pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 6.2nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 3.9A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
功率 - 最大值 12.5W
包装 Digi-Reel®可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 4A
系列 TrenchFET®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩