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RUQ050N02CT-ND

型号 :
RUQ050N02TR
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
PDF :
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库存 :
8038 
单价 :
暂无价格
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 900pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 12nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 5A,4.5V
供应商器件封装 TSMT6
功率 - 最大值 1.25W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 5A
系列 -
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