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| FET 功能 | 耗尽模式 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 325pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率 - 最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 800mA |
| 系列 | - |
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