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TK6A65D(STA4QM)-ND

型号 :
TK6A65D(STA4,Q,M)
制造商 :
Toshiba
简介 :
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
PDF :
PDF
库存 :
2625 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1050pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 20nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.11 欧姆 @ 3A,10V
供应商器件封装 TO-220SIS
功率 - 最大值 45W
包装 管件
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 6A
系列 -
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